[发明专利]EEPROM的制备方法

摘要

本发明提出了一种EEPROM的制备方法，在形成存储比特结构和常开比特结构之后，对其中需要置于常开比特结构进行离子注入，离子注入于常开比特结构下方衬底的表面，可以降低阈值电压，提高电流，在EEPROM工作时有利于数据的存储和维持，提高器件的性能。

主权项

1.一种EEPROM的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，在所述衬底上形成有字线、存储比特结构、常开比特结构、介质层、栅介质层及源漏极，所述源漏极形成在所述衬底内，所述栅介质层形成在所述衬底上，所述字线、存储比特结构、常开比特结构及介质层均形成在所述栅介质层上，所述存储比特结构和常开比特结构位于所述字线的两侧，并由所述介质层隔离开；对所述常开比特结构进行离子注入处理，离子注入于常开比特结构下方衬底的表面，降低阈值电压。