[发明专利]P型MOS闪存存储单元、存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510689863.9 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN106611796A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 孙艳辉;张冠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种P型MOS闪存存储单元、存储器及其制备方法，所述P型MOS闪存存储单元包括浮栅，所述浮栅包括浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层为P型掺杂多晶硅层。采用P型多晶硅层作为浮栅，由于P型多晶硅层中的电子及空穴均位于能量较低的价带或导带与价带之间的带隙中，电子从所述浮栅跃迁至隧穿氧化层及半导体衬底需要较大的能力，可以有效地防止电子从浮栅中的流失，进而改善器件的数据存储性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 闪存 存储 单元 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种P型MOS闪存存储单元，其特征在于，所述P型MOS闪存存储单元包括浮栅，所述浮栅包括浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层为P型掺杂多晶硅层。
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