[发明专利]P型MOS闪存存储单元、存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种P型MOS闪存存储单元，其特征在于，所述P型MOS闪存存储单元包括浮栅，所述浮栅包括浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层为P型掺杂多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的P型MOS闪存存储单元，其特征在于：所述浮栅多晶硅层中P型掺杂的剂量为1E13atom/cm²～8E13atom/cm²。

3.根据权利1要求所述的P型MOS闪存存储单元，其特征在于：所述P型MOS闪存存储单元还包括：半导体衬底、N阱、隧穿氧化层、介电层、控制栅极、源极有源区及漏极有源区；

所述N阱位于所述半导体衬底内；

所述隧穿氧化层、浮栅、介电层及控制栅极由下至上依次堆叠于所述N阱上方的所述半导体衬底上构成堆栈栅极结构；

所述源极有源区及所述漏极有源区位于所述堆栈栅极结构两侧的所述N阱内。

4.根据权利3要求所述的P型MOS闪存存储单元，其特征在于：所述P型MOS闪存存储单元还包括选择栅极；所述选择栅极位于所述对栈栅极结构一侧的所述半导体衬底上，且与所述堆栈栅极结构具有一定的间距；所述选择栅极两侧的所述N阱内形成有所述源极有源区及所述漏极有源区。

5.根据权利4要求所述的P型MOS闪存存储单元，其特征在于：所述漏极有源区与存储器的位线电连接，所述控制栅极与存储器的字线电连接，所述选择栅极与存储器的源极线电连接。

6.根据权利要求3所述的P型MOS闪存存储单元，其特征在于：所述源极有源区及所述漏极有源区均为P型掺杂区域。

7.一种P型MOS闪存存储单元的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有N阱；

在所述N阱上方的所述半导体衬底上形成堆栈栅极结构；所述堆栈栅极结构由下至上依次包括隧穿氧化层、浮栅、介电层及控制栅极；其中，所述浮栅包括浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层为P型掺杂多晶硅层；

在所述堆栈栅极结构两侧的所述N阱内分别形成源极有源区及漏极有源区。

8.根据权利要求7所述的P型MOS闪存存储单元的制备方法，其特征在于：所述浮栅多晶硅层中P型掺杂的剂量为1E13atom/cm²～8E13atom/cm²。

9.根据权利要求7所述的P型MOS闪存存储单元的制备方法，其特征在于：还包括在所述N阱上方的所述半导体衬底上形成选择栅极的步骤，所述选择栅极与所述堆栈栅极结构同步形成。

10.根据权利9要求所述的P型MOS闪存存储单元的制备方法，其特征在于：在所述N阱上方的所述半导体衬底上形成堆栈栅极结构及选择栅极的具体方法为：

在所述N阱上方的所述半导体衬底上形成隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层上形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层包括浮栅多晶硅层及选择栅极多晶硅层；

对所述第一多晶硅层进行P型掺杂；

在所述第一多晶硅层上形成介电层；

在所述介电层上形成第二多晶硅层；

刻蚀所述隧穿氧化层、第一多晶硅层、介电层及第二多晶硅层以形成所述堆栈栅极结构及选择栅极。

11.根据权利9要求所述的P型MOS闪存存储单元的制备方法，其特征在于：在形成所述源极有源区及漏极有源区之前，还包括一在所述堆栈栅极结构及所述选择栅极两侧形成侧墙的步骤。

12.一种P型MOS闪存存储器，其特征在于，所述闪存存储器包括至少一个如权利要求1至6中任一项所述的P型MOS闪存存储单元。