[发明专利]MEMS结构的制造方法有效
| 申请号： | 201510686572.4 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN106608614B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 万蔡辛;朱佳辉 | 申请（专利权）人： | 山东共达电声股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;高青 |
| 地址： | 261000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 公开了一种MEMS结构的制造方法，包括：在基板的第一表面上形成第一牺牲层，基板还包括与第一表面相对的第二表面；在第一牺牲层上形成第一功能层，第一功能层具有相对的第一表面和第二表面且第一表面与第一牺牲层接触；在第一功能层的第二表面上形成第二牺牲层；在第二牺牲层上形成第二功能层；去除第二牺牲层和第二功能层的一部分，使得第二牺牲层和第二功能层的侧壁与第一功能层的表面形成台阶；形成覆盖台阶的保护层，所述保护层与台阶表面的间隙小于等于0.1微米；穿过第二功能层中的透孔去除第二牺牲层的一部分，使得第二功能层和第二牺牲层的剩余部分形成内部空间，第一功能层的第二表面暴露于内部空间；以及去除保护层。该方法在释放MEMS结构的步骤中利用保护层保护台阶。 | ||
| 搜索关键词： | mems 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS结构的制造方法，包括：在基板的第一表面上形成第一牺牲层，所述基板还包括与第一表面相对的第二表面；在第一牺牲层上形成第一功能层，所述第一功能层具有相对的第一表面和第二表面且所述第一表面与所述第一牺牲层接触；在第一功能层的第二表面上形成第二牺牲层；在第二牺牲层上形成第二功能层；去除第二牺牲层和第二功能层的一部分，使得第二牺牲层和第二功能层的侧壁与第一功能层的表面形成台阶；形成覆盖台阶的保护层，所述保护层与台阶表面的间隙小于等于0.1微米；穿过第二功能层中的透孔去除第二牺牲层的一部分，使得第二功能层和第二牺牲层的剩余部分形成内部空间，所述第一功能层的第二表面暴露于所述内部空间；以及去除保护层。
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