[发明专利]MEMS结构的制造方法

权利要求书

1.一种MEMS结构的制造方法，包括：

在基板的第一表面上形成第一牺牲层，所述基板还包括与第一表面相对的第二表面；

在第一牺牲层上形成第一功能层，所述第一功能层具有相对的第一表面和第二表面且所述第一表面与所述第一牺牲层接触，

在第一功能层的第二表面上形成第二牺牲层；

在第二牺牲层上形成第二功能层；所述第一功能层和所述第二功能层分别为振膜和背极板；

去除第二牺牲层和第二功能层的一部分，使得第二牺牲层和第二功能层的侧壁与第一功能层的表面形成台阶；

在所述第一功能层的周边部分的表面形成第一电极，以及在所述第二功能层的表面形成第二电极；

形成覆盖台阶、第一电极和第二电极的保护层；

采用各向同性的湿法蚀刻，穿过第二功能层中的透孔去除第二牺牲层的一部分，使得第二功能层和第二牺牲层的剩余部分形成内部空间，所述第一功能层的第二表面暴露于所述内部空间；以及

去除保护层以暴露所述第一电极和所述第二电极用于外部电连接，

其中，所述保护层具有疏水特性，与台阶表面的间隙小于等于0.1微米，通过所述保护层的表面张力，来排斥和防止所述湿法蚀刻的蚀刻剂流进所述间隙，从而防止钻蚀的发生。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层相对于所述第二功能层、所述第二牺牲层和所述第一功能层的蚀刻选择比大于50。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述保护层由选自氧化硅和氮化硅的一种组成，所述第二牺牲层由选自氧化硅和氮化硅的另一种组成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述台阶的高度大于1微米，所述保护层的厚度小于1微米。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述MEMS结构为选自MEMS传感器和MEMS致动器的一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述MEMS结构为硅电容麦克风，其中，所述振膜包括中间部分、周边部分和二者之间的连接区，

在形成台阶的步骤中暴露所述振膜的周边部分的表面。

7.根据权利要求1所述的方法，在形成保护层的步骤和形成内部空间的步骤之间，还包括：

从所述基板的第二表面形成到达所述第一牺牲层的声腔；以及

在所述第一牺牲层中形成透孔，使得声波经由所述声腔和所述透孔到达所述振膜。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，采用湿法蚀刻去除所述保护层。