[发明专利]一种薄膜形成方法及原子层沉积装置在审
| 申请号： | 201510684207.X | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105525276A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 朴成贤;申寅澈;李根雨;金京俊 | 申请（专利权）人： | K.C.科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种薄膜形成方法及原子层沉积装置。薄膜形成方法包括：使用含有硅的硅前驱体物质作为源气体；使用经等离子活化的氮气作为反应气体；使用氮气作为净化气体，并且按照所述源气体、所述净化气体、所述反应气体、所述净化气体的顺序来有序地提供气体，形成氮化硅膜(Si3N4)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 形成 方法 原子 沉积 装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜形成方法，包括：使用含有硅的硅前驱体物质作为源气体；使用经等离子活化的氮气作为反应气体；使用氮气作为净化气体，按照所述源气体、所述净化气体、所述反应气体、所述净化气体的顺序来有序地提供气体，形成氮化硅膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
