[发明专利]一种薄膜形成方法及原子层沉积装置

权利要求书

1.一种薄膜形成方法，包括：

使用含有硅的硅前驱体物质作为源气体；

使用经等离子活化的氮气作为反应气体；

使用氮气作为净化气体，

按照所述源气体、所述净化气体、所述反应气体、所述净化气体的顺序 来有序地提供气体，形成氮化硅膜。

2.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其中，使用硅烷胺类物质作为所 述源气体。

3.如权利要求2所述的薄膜形成方法，其中，所述源气体以胺基为中心 周围配置有3个硅原子，所述3个硅原子中的至少一个含有一个以上的胺基， 所述胺基中含有一个以上的乙基或甲基。

4.如权利要求2所述的薄膜形成方法，其中，所述源气体使用双[(二甲 氨基)甲基硅烷基](三甲基硅烷基)胺、双[(二乙氨基)三甲基硅烷基](三甲基硅 烷基)胺、三[(二乙氨基)三甲基硅烷基]胺中的任何一种物质。

5.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其中，在形成氮化硅膜中，在 200-350℃下进行。

6.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其中，所述源气体、所述反应气 体和所述净化气体被连续地喷射。

7.一种原子层沉积装置，所述原子层沉积装置包括：

处理室；

基板支撑部，被构造在所述处理室的内部，并且安装有多个基板；

气体喷射部，被构造在所述处理室的内部并在所述基板支撑部的上部， 并且将源气体、反应气体和净化气体喷射在所述多个基板上并且各气体被连 续喷射，其中，使用含有硅的硅前驱体物质作为所述源气体，使用经等离子 活化的氮气作为所述反应气体，使用氮气作为所述净化气体，

按照所述源气体、所述净化气体、所述反应气体和所述净化气体的顺序 来有序地提供气体，从而形成氮化硅膜。

8.如权利要求7所述的原子层沉积装置，其中，使用硅烷胺类物质作为 所述源气体。

9.如权利要求8所述的原子层沉积装置，其中，所述源气体以胺基为中 心周围配有3个硅原子，且所述3个硅原子中的至少一个含有一个以上的胺 基，且所述胺基中含有一个以上的乙基或甲基。

10.如权利要求8所述的原子层沉积装置，其中，所述源气体使用双[(二 甲氨基)甲基硅烷基](三甲基硅烷基)胺、双[(二乙氨基)三甲基硅烷基](三甲基 硅烷基)胺、三[(二乙氨基)三甲基硅烷基]胺中的任何一种物质。

11.如权利要求7所述的原子层沉积装置，其中，所述气体喷射部中具 有使所述反应气体经等离子被活化的等离子发生部。

12.如权利要求11所述的原子层沉积装置，其中，所述等离子发生部通 过远程等离子方式、电容耦合等离子方式和电感耦合等离子方式中的任何一 种方式来执行等离子化。