[发明专利]云母薄膜的制备方法及晶体管有效

专利信息
申请号: 201510684066.1 申请日: 2015-10-20
公开(公告)号: CN106601613B 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 高雪;刘建平;孙钱;张书明;杨辉 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L21/314 分类号: H01L21/314;H01L29/778
代理公司: 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 代理人: 孙伟峰;武岑飞<国际申请>=<国际公布>
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种云母薄膜的制备方法,其包括:将衬底放置于真空的脉冲激光沉积设备中;利用脉冲激光熔蚀云母靶材,使云母靶材的表面产生等离子体羽辉,所述等离子体羽辉沉积在所述衬底上生长形成均匀的云母薄膜。本发明还公开了一种晶体管,其包括利用该制备方法制备的云母薄膜。本发明的晶体管引入云母薄膜作为电介质层,由于云母的层状二维纳米结构具有超薄的厚度,有利于晶体管的栅极调制,并且有助于晶体管在纵向方向的高密度集成。此外,云母薄膜的表面非常光滑,这个特征使晶体管的载流子能够免于表面粗糙度及陷阱态的影响,从而晶体管能够获得较高的载流子迁移率。
搜索关键词: 云母 薄膜 制备 方法 晶体管
【主权项】:
1.一种晶体管,其特征在于,包括:/n衬底;/n位于所述衬底上的缓冲层;/n位于所述缓冲层上的氮化镓高阻层;/n位于所述氮化镓高阻层上的氮化镓沟道层;/n位于所述氮化镓沟道层上的氮化铝插入层;/n位于所述氮化铝插入层上的势垒层;/n位于所述势垒层上的氮化镓盖帽层;/n位于所述氮化镓盖帽层上的云母薄膜。/n
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