[发明专利]云母薄膜的制备方法及晶体管有效
| 申请号： | 201510684066.1 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106601613B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 高雪;刘建平;孙钱;张书明;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L29/778 |
| 代理公司： | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 云母 薄膜 制备 方法 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的氮化镓高阻层；
位于所述氮化镓高阻层上的氮化镓沟道层；
位于所述氮化镓沟道层上的氮化铝插入层；
位于所述氮化铝插入层上的势垒层；
位于所述势垒层上的氮化镓盖帽层；
位于所述氮化镓盖帽层上的云母薄膜。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述云母薄膜的厚度为1nm-500nm。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述云母薄膜的厚度为1nm-100nm。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述缓冲层的厚度为200nm-2000nm；所述氮化镓高阻层的厚度为500nm-3000nm，所述氮化镓沟道层的厚度为1nm-1000nm；所述氮化铝插入层的厚度为1nm-20nm；所述势垒层的厚度为1nm-200nm；所述氮化镓盖帽层的厚度为1nm-20nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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