[发明专利]单一规格纳米硅粉的感应等离子制备方法在审
| 申请号： | 201510683284.3 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105271237A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 杨文智;黄伟明;黄伟;陈子明;尚福军;张保玉;肖敏强;杨柏涛 | 申请（专利权）人： | 中国兵器科学研究院宁波分院 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人： | 袁忠卫;景丰强 |
| 地址： | 315103 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种单一规格纳米硅粉的感应等离子制备方法，其特征在于包括如下步骤：将多晶硅粉，放入真空烘箱中去除水分，然后将烘干的多晶硅粉通过气流磨进行破碎处理，筛分，气流分级处理，再经过感应等离子制备即可获得单一规格的纳米硅粉。与现有技术相比，本发明的制备效率达到300g/h以上，原材料利用率达到50％以上，同时通过烘干、破碎、分级等处理，经过感应等离子制备即可获得结构一致且粒径分布均匀、单一规格的高质量纳米硅粉。 | ||
| 搜索关键词： | 单一 规格 纳米 感应 等离子 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单一规格纳米硅粉的感应等离子制备方法，其特征在于包括如下步骤：将多晶硅粉，放入真空烘箱中去除水分，然后将烘干的多晶硅粉通过气流磨进行破碎处理，筛分，气流分级处理，再经过感应等离子制备即可获得单一规格的纳米硅粉。
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