[发明专利]单一规格纳米硅粉的感应等离子制备方法

权利要求书

1.一种单一规格纳米硅粉的感应等离子制备方法，其特征在于包括如下步骤：将多晶硅粉，放入真空烘箱中去除水分，然后将烘干的多晶硅粉通过气流磨进行破碎处理，筛分，气流分级处理，再经过感应等离子制备即可获得单一规格的纳米硅粉。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的多晶硅粉纯度为>99.99％，所述多晶硅粉粒径为2-40μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的烘箱真空度10^-1-10^-3MPa、烘干温度70-100℃、烘干时间24-72h。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的气流磨采用耐驰公司型号为DGS10的气流磨，该气流磨的处理条件如下：分级轮转速2000-16000min^-1、轴承气体0.1-0.5bar、间隙气体0.1-0.5bar、研磨气体4-8bar、转速剂量1％-40％、破碎速率1-10kg/h。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述筛分采用200-500目筛网进行筛分。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的感应等离子制备采用加拿大泰克纳公司生产的型号为TIU-60感应等离子超细粉制取设备，处理条件如下：

送粉速率400-600g/h；

等离子功率60kW；

中间气体流量1-1.5标准升/秒；

冷却气体流量1.0-1.5标准升/秒氩气；

冷却气体流量0.5-0.8标准升/秒氢气；

反应室压力100kPa；

载流气流量0.2标准升/秒。