[发明专利]一种大尺寸发光二极管制作工艺

摘要

本发明公开一种大尺寸发光二极管制作工艺，包括以下步骤：一，在外延衬底上依次生成布拉格反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、电流扩展层及复合的多层欧姆接触层结构；二，在复合的多层欧姆接触层结构上采用掩膜、光刻、湿法腐蚀工艺露出阶梯状表面；三，在裸露的阶梯状表面蒸镀ITO导电层，形成阶梯状接触面，在ITO导电层上生成第一电极，在衬底上生成第二电极。本发明可以提高ITO导电层的电流扩展效果，减少扩展电极的挡光面积，提高发光二极管的发光效率，降低制造成本。

主权项

一种大尺寸发光二极管制作工艺，其特征在于，在发光二极管顶部外延生长复合的多层欧姆接触层结构，在多层欧姆接触层结构上设置阶梯状的多个接触平面与ITO导电层形成立体的欧姆接触，包括以下步骤：一，在外延衬底上依次生成布拉格反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、电流扩展层；二，在电流扩展层上设置n组交替生长的欧姆接触层与腐蚀截止层，组成复合多层欧姆接触层结构；三，在复合多层欧姆接触层结构顶部第n层的欧姆接触层表面采用掩膜、光刻、湿法腐蚀工艺，除去非预留区域的第n层的欧姆接触层表面及腐蚀截止层，露出第n‑1层的欧姆接触层；四，在裸露第n‑1层的欧姆接触层表面再采用掩膜、光刻、湿法腐蚀工艺，除去非预留区域的第n‑1层的欧姆接触层表面及腐蚀截止层，露出第n‑2层的欧姆接触层；五，重复步骤四的工艺直至裸露出第一层欧姆接触层，形成阶梯状表面；六，蒸镀ITO导电层与阶梯状的多欧姆接触面形成接触，在ITO导电层上设置第一电极，在衬底上设置第二电极。