[发明专利]图像传感器、成像系统及图像传感器制作的方法有效
| 申请号: | 201510642667.6 | 申请日: | 2015-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN105489623B | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
| 发明(设计)人: | 郑伟;刘家颖;艾群詠;杨武璋;熊志伟;陆震伟 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐扬 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明涉及图像传感器、成像系统及图像传感器制作的方法。图像传感器包含具有多个光电二极管的半导体层。多个隔离结构安置于所述半导体层的背侧中在所述多个光电二极管中的个别光电二极管之间。所述多个隔离结构延伸到所述半导体层的所述背侧中第一深度且延伸出所述半导体层的所述背侧第一长度。接近于所述半导体层的所述背侧安置多个滤光器,使得所述多个隔离结构安置于所述多个滤光器中的个别滤光器之间。抗反射涂层还安置于所述半导体层与所述多个滤光器之间。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体层 图像传感器 滤光器 光电二极管 隔离结构 安置 成像系统 抗反射涂层 延伸 制作 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,所述图像传感器包括:半导体层,其包含多个光电二极管,其中所述半导体层具有前侧及背侧;多个隔离结构,其安置于所述半导体层的所述背侧中在所述多个光电二极管中的个别光电二极管之间,其中所述多个隔离结构延伸到所述半导体层的所述背侧中第一深度且延伸出所述半导体层的所述背侧第一长度;多个滤光器,其接近于所述半导体层的所述背侧安置,其中所述多个隔离结构安置于所述多个滤光器中的个别滤光器之间;抗反射涂层,其安置于所述半导体层与所述多个滤光器之间;及夹层,所述夹层安置于所述多个隔离结构与所述多个滤光器之间,其中所述夹层经定形以将光引导到所述多个光电二极管中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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