[发明专利]图像传感器、成像系统及图像传感器制作的方法

权利要求书

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

半导体层，其包含多个光电二极管，其中所述半导体层具有前侧及背侧；

多个隔离结构，其安置于所述半导体层的所述背侧中在所述多个光电二极管中的个别光电二极管之间，其中所述多个隔离结构延伸到所述半导体层的所述背侧中第一深度且延伸出所述半导体层的所述背侧第一长度；

多个滤光器，其接近于所述半导体层的所述背侧安置，其中所述多个隔离结构安置于所述多个滤光器中的个别滤光器之间；

抗反射涂层，其安置于所述半导体层与所述多个滤光器之间；及

夹层，所述夹层安置于所述多个隔离结构与所述多个滤光器之间，其中所述夹层经定形以将光引导到所述多个光电二极管中。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述抗反射涂层安置于所述多个隔离结构与所述多个滤光器之间。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个隔离结构包含金属、金属氧化物、半导体、半导体氧化物、半导体氮化物或半导体氮氧化物中的至少一者。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述夹层具有沿朝向所述半导体层的方向增加的宽度。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个滤光器包含红色滤光器、绿色滤光器、蓝色滤光器、透明滤光器或红外线滤光器中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括接近于所述多个滤光器安置的微透镜层，其中所述多个滤光器安置于所述半导体层与所述微透镜层之间。

7.一种成像系统，所述成像系统包括：

半导体层，其包含多个光电二极管，其中所述多个光电二极管布置成阵列，且其中所述半导体层具有前侧及背侧；

多个隔离结构，其安置于所述半导体层的所述背侧中在所述多个光电二极管中的个别光电二极管之间，其中所述多个隔离结构延伸到所述半导体层的所述背侧中第一深度且延伸出所述半导体层的所述背侧第一长度；

多个滤光器，其接近于所述半导体层的所述背侧安置，其中所述多个隔离结构安置于所述多个滤光器中的个别滤光器之间；及

夹层，所述夹层安置于所述多个隔离结构与所述多个滤光器之间，其中所述夹层经定形以将光引导到所述多个光电二极管中。

8.根据权利要求7所述的成像系统，其进一步包括安置于所述半导体层与所述多个滤光器之间的抗反射涂层。

9.根据权利要求7所述的成像系统，其进一步包括控制电路及读出电路，其中所述控制电路经耦合以控制所述多个光电二极管的操作且所述读出电路经耦合以从所述多个光电二极管读出图像电荷。

10.根据权利要求9所述的成像系统，其进一步包括耦合到所述读出电路以操纵从所述多个光电二极管读出的所述图像电荷的功能逻辑。

11.根据权利要求9所述的成像系统，其进一步包括经安置以防止入射于所述成像系统上的光子到达所述控制电路及读出电路的一或多个光屏蔽层。

12.一种图像传感器制作的方法，所述方法包括：

在半导体层中形成多个光电二极管，其中所述半导体层具有前侧及背侧；

在所述半导体层的所述背侧中形成多个隔离结构；其中所述多个隔离结构中的个别隔离结构安置于所述多个光电二极管中的个别光电二极管之间，且其中所述多个隔离结构延伸到所述半导体层的所述背侧中第一深度且延伸出所述半导体层的所述背侧第一长度；

将抗反射涂层沉积在所述半导体层上；

形成安置于所述多个隔离结构与多个滤光器之间的夹层，其中所述夹层经定形以将光引导到所述多个光电二极管中；以及

形成接近于所述半导体层的所述背侧安置的所述多个滤光器，其中所述多个隔离结构安置于所述多个滤光器中的个别滤光器之间。