[发明专利]含噻吩基单核钌配合物电聚合薄膜的制备方法和光电化学性质在审
| 申请号： | 201510641584.5 | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN105384916A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 王克志;杨薇;薛龙新 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含噻吩基单核钌配合物的电聚合薄膜的制备方法及其电化学和光电化学的性质，采用简单的电化学的方法使单核钌配合物在ITO电极上形成聚合物薄膜，对薄膜的电化学的性质测试显示，该聚合物聚合20圈薄膜在水溶液中具有很好的稳定性，对薄膜进行的光电性能测试结果显示，在负偏压部分，所加偏压越负，该薄膜的光电流越大，当偏压为0V时也表现出了相当大的光电流，随着偏压继续增加，光电流的变化幅度明显小于在负偏压时的光电流大小，表现出了很好的整流性质。因此，本发明中的含噻吩基的单核钌配合物电聚合薄膜在能量转换领域有着广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 噻吩 单核 配合 聚合 薄膜 制备 方法 光电 化学性质 | ||
【主权项】：
一种含噻吩基单核钌配合物电聚合薄膜，是通过电化学方法将含噻吩基钌配合物聚合到ITO导电玻璃上后得到的聚合薄膜。所述单核钌配合物由阳离子部分和阴离子部分组成，其中，阳离子部分为[Ru(bpy)2L]2+，阴离子部分为无机盐阴离子，配体L的结构如下式所示：![]()
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