[发明专利]含噻吩基单核钌配合物电聚合薄膜的制备方法和光电化学性质在审
| 申请号： | 201510641584.5 | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN105384916A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 王克志;杨薇;薛龙新 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 噻吩 单核 配合 聚合 薄膜 制备 方法 光电 化学性质 | ||
【权利要求书】：
1.一种含噻吩基单核钌配合物电聚合薄膜，是通过电化学方法将含噻吩基钌配合物聚合到ITO导电玻璃上后得到的聚合薄膜。所述单核钌配合物由阳离子部分和阴离子部分组成，其中，阳离子部分为[Ru(bpy)2L]2+，阴离子部分为无机盐阴离子，配体L的结构如下式所示：
2.如权利要求1所述的单核钌配合物的聚合薄膜，其特征在于，所述单核钌配合物的分子式为[Ru(bpy)2L](ClO4)2，结构如下式所示：
。
3.权利要求1～2所述的单核钌配合物电聚合薄膜的制备方法，包括：以导电电极如ITO为工作电极的三电极的溶有配合物溶液的电化学槽中，循环伏安扫描不同圈数即可得到不同厚度的聚合物薄膜。
4.权利要求1～3所述的单核钌配合物薄膜在光电转换领域中的应用。
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