[发明专利]低温多晶硅TFT基板

摘要

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板，其黑色矩阵位于低温多晶硅TFT基板的第一缓冲层上，TFT器件位于被黑色矩阵遮盖的区域，可避免TFT器件受到光照影响，确保TFT器件的稳定性；并且省去了一道遮光金属层的制程，减少一道光罩，节约了生产成本，使得黑色矩阵在实现自身作用(遮挡像素漏光)的同时，还可代替现有技术中的遮光金属层实现对TFT器件的遮光，实现了双重作用。

主权项

1.一种低温多晶硅TFT基板，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的第一缓冲层(31)、设于所述第一缓冲层(31)上的黑色矩阵(2)、设于所述第一缓冲层(31)与黑色矩阵(2)上的第二缓冲层(32)、设于所述第二缓冲层(32)上的多晶硅层(4)、设于所述多晶硅层(4)上的栅极绝缘层(5)、设于所述栅极绝缘层(5)上的栅极(6)、设于所述栅极绝缘层(5)与栅极(6)上的层间绝缘层(7)、设于所述层间绝缘层(7)上的源极(81)与漏极(82)、设于所述层间绝缘层(7)、源极(81)、及漏极(82)上的平坦层(9)、设于所述平坦层(9)上的公共电极(91)、设于所述公共电极(91)上的钝化层(92)、及设于所述钝化层(92)上的像素电极(93)；其中，所述源极(81)、漏极(82)、栅极(6)、及多晶硅层(4)构成一TFT器件(10)，所述黑色矩阵(2)遮盖所述TFT器件(10)所在的区域，避免TFT器件(10)受光照影响；所述多晶硅层(4)包括位于中间的沟道区(41)、位于两端的N型重掺杂区(42)、及位于所述沟道区(41)与N型重掺杂区(42)之间的N型轻掺杂区(43)；所述平坦层(9)上对应所述漏极(82)的上方形成有第二过孔(90)，所述钝化层(92)包覆该第二过孔(90)，并且所述钝化层(92)位于该第二过孔(90)底部的部分上形成有第三过孔(95)，所述像素电极(93)经由所述第三过孔(95)与所述漏极(82)相接触。