[发明专利]低温多晶硅TFT基板

说明书

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板，其黑色矩阵位于低温多晶硅TFT基板的第一缓冲层上，TFT器件位于被黑色矩阵遮盖的区域，可避免TFT器件受到光照影响，确保TFT器件的稳定性；并且省去了一道遮光金属层的制程，减少一道光罩，节约了生产成本，使得黑色矩阵在实现自身作用(遮挡像素漏光)的同时，还可代替现有技术中的遮光金属层实现对TFT器件的遮光，实现了双重作用。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅TFT基板。

背景技术

低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)在高分辨率有源液晶显示器(Active MatrixLiquid Crystal Display，AMLCD)以及有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示器领域有很大的应用价值和潜力。

与非晶硅(a-Si)技术相比，LTPS TFT的迁移率高，器件稳定性好。LTPS TFT的迁移率可达几十至几百cm²/Vs，可以满足高分辨率AMLCD及AMOLED显示器的要求。因此，低温多晶硅显示器的反应速度较快，且有高亮度、高解析度与低耗电量等优点。除了作为像素开关，LTPS TFT还可以构建周边驱动电路，实现片上集成系统。

但是多晶硅受光照影响会造成器件不稳定，漏电流增大，造成面板显示不正常，因此一般在制作TFT器件之前要制作一道遮光金属层(Shielding Metal)进行遮光。

请参阅图1，为一种现有的低温多晶硅TFT基板的剖面结构示意图。在制作TFT器件300之前，先在基板100上制作遮光金属层200，然后制作TFT器件300，所述遮光金属层200可以实现对TFT器件300所在的区域进行遮光，避免了TFT器件300中的多晶硅层400受到光照影响，保证了TFT器件300的稳定性。

但是，单独制作一道遮光金属层200就意味着需要在制程中多使用一道光罩，这样既增加了制程，降低了生产效率，同时也造成了生产成本的提升。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低温多晶硅TFT基板，采用黑色矩代替遮光金属层对TFT器件进行遮盖，保证TFT器件的性能稳定，同时节约了生产成本。

为实现上述目的，本发明提供一种低温多晶硅TFT基板，包括基板、设于所述基板上的第一缓冲层、设于所述第一缓冲层上的黑色矩阵、设于所述第一缓冲层与黑色矩阵上的第二缓冲层、设于所述第二缓冲层上的多晶硅层、设于所述多晶硅层上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的栅极、设于所述栅极绝缘层与栅极上的层间绝缘层、设于所述层间绝缘层上的源极与漏极、设于所述层间绝缘层、源极、及漏极上的平坦层、设于所述平坦层上的公共电极、设于所述公共电极上的钝化层、及设于所述钝化层上的像素电极；

其中，所述源极、漏极、栅极、及多晶硅层构成一TFT器件，所述黑色矩阵遮盖所述TFT器件所在的区域，避免TFT器件受光照影响。

所述多晶硅层包括位于中间的沟道区、位于两端的N型重掺杂区、及位于所述沟道区与N型重掺杂区之间的N型轻掺杂区。

所述栅极绝缘层、及层间绝缘层上对应所述N型重掺杂区的上方形成有第一过孔，所述源极与漏极分别经由所述第一过孔与所述N型重掺杂区相接触。

所述平坦层上对应所述漏极的上方形成有第二过孔，所述钝化层包覆该第二过孔，并且所述钝化层位于该第二过孔底部的部分上形成有第三过孔，所述像素电极经由所述第三过孔与所述漏极相接触。

所述公共电极与像素电极之间形成存储电容。

所述基板为玻璃基板；所述第一缓冲层为氧化硅层；所述第二缓冲层为氮化硅层。