[发明专利]基于低压等离子化学气相沉积制备纳米多层膜的方法

摘要

本发明公开一种可准确控制每层厚度、以及均匀度，增加膜层与基体粘合力的低压等离子化学气相沉积的方法，本方法步骤如下：a.往反应腔内放置基体工件，对反应腔进行抽真空；b.抽真空后向反应腔内注入氧气，开启微波源，微波经ECR微波电子回旋共振后，向反应腔内提供微波电离氧分子，对基体进行表面活性化处理及洁净化处理；交替电离TiCl4气体和氧气的混合气体，以及六甲基二硅氧烷气体和氧气的混合气体,在工件表面交替沉积多层TiO2和SiO2薄膜。

主权项

1.基于低压等离子化学气相沉积制备纳米多层膜的方法，其特征在于，所述方法步骤如下：a.往多个反应腔内放置基体工件，对反应腔进行抽真空，使反应腔内高度真空，真空度达到0.1‑0.5mbar；b.抽真空后向反应腔内注入氧气，开启微波源，微波源产生2.45GHz的高频电磁波通过ECR微波电子回旋共振，三销钉调配器后，微波能量被平均分配到每个反应腔内，起辉电离氧分子，高能氧离子撞击基体表面并加热基体，氧离子对基体进行表面活性化处理及洁净化处理；c.保持氧气的供给，将TiCl4气体连续不停地注入反应腔内，电离氧分子和TiCl4，在基体表面产生等离子体，等离子体中的Ti离子和氧离子在基体表面合成TiO2，形成TiO2薄膜，控制反应时间来控制TiO2薄膜厚度，反应得到的副产物以及多余的氧气和TiCl4被排走；d.停止TiCl4气体的供给，改为向反应腔内连续供给六甲基二硅氧烷气体，电离氧分子和六甲基二硅氧烷，在基体表面产生等离子体，等离子体中的硅离子和氧离子在基体表面结合成SiO2，形成SiO2薄膜，控制反应时间来控制SiO2薄膜厚度，反应得到的副产物以及多余的氧气和六甲基二硅氧烷被排走；e.重复c和d步骤，就可以在基体表面交替沉积多层TiO2和SiO2薄膜。