[发明专利]形成晶体管的方法、衬底图案化的方法及晶体管在审
| 申请号： | 201510634787.1 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105470121A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | P·C·布兰特;F·J·桑托斯罗德里奎兹;A·R·斯特格纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/331;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种形成包括栅极电极的晶体管的方法，包括：在半导体衬底(100)之上形成牺牲层(140)，在牺牲层(140)之上形成图案层(150)，将图案层(150)图案化为经图案化的结构，形成与经图案化的结构的侧壁相邻的间隔物(160)，去除经图案化的结构，使用间隔物(160)作为蚀刻掩模蚀刻穿过牺牲层(140)并蚀刻到半导体衬底(100)中，从而在半导体衬底(100)中形成沟槽，将导电材料(210)填充到半导体衬底(100)中的沟槽中以形成栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 晶体管 方法 衬底 图案 | ||
【主权项】：
一种形成包括栅极电极的晶体管的方法，包括：在半导体衬底(100)之上形成牺牲层(140)；在所述牺牲层(140)之上形成图案层(150)；将所述图案层(150)图案化为经图案化的结构(155)；形成与所述经图案化的结构(155)的侧壁相邻的间隔物(160)；去除所述经图案化的结构(155)；使用所述间隔物(160)作为蚀刻掩模蚀刻穿过所述牺牲层(140)，并蚀刻到所述半导体衬底(100)中，从而在所述半导体衬底(100)中形成沟槽(105)；将导电材料(210)填充到所述半导体衬底(100)中的所述沟槽(105)中，以形成所述栅极电极(310)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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