[发明专利]形成晶体管的方法、衬底图案化的方法及晶体管

说明书

技术领域

本公开涉及一种形成晶体管的方法，一种衬底图案化的方法以及晶体管。

背景技术

半导体器件(特别地，功率半导体器件如场效应晶体管(FET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT))广泛应用于各领域应用例如汽车和工业应用。人们一直在尝试提高半导体器件的性能。例如，尝试通过减小作为IGBT中相邻栅极沟槽的主体区域或台面的宽度来提高IGBT的性能。相应地，需要提供一种方法，通过该方法台面结构可以限定为均匀模式，台面结构具有小宽度。

发明内容

本发明的目的是提供一种制造半导体器件的改进方法。进一步地，本发明的目的是提供所述半导体器件。

根据本发明，上述目的是通过独立权利要求所要求保护的主题实现的。从属权利要求限定了进一步实施例。

附图说明

附图用于进一步理解本发明的实施例，附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本发明的实施例并与描述一起阐述原理。通过较好地理解下面的详细描述，很容易构想到本发明的其他实施例和许多优点。附图中的元件不需要按比例绘制。相同附图标记指定相应的类似部分。

图1A至图1F示出了执行根据一个实施例的方法时半导体衬底的横截面视图的示例。

图1G概括了根据一个实施例的方法。

图2A至图2L示出了执行根据一个实施例的方法时半导体衬底的横截面视图的示例。

图3A至图3D示出了加工过程中半导体器件的横截面视图的进一步示例。

图3E示出了根据一个实施例的半导体器件的横截面视图。

图3F概括了根据另外的实施例的方法。

图4A至图4E示出了执行根据另外的实施例的方法时半导体衬底的横截面视图的示例。

图4F概括了根据另外的实施例的方法。

具体实施方式

在下面的详细描述中，将参考附图进行描述，附图构成描述的一部分并示出了能够实践本发明的特定实施例。在这一方面，方向术语“顶部”、“底部”、“前部”、“背部”、“首部”、“尾部”等用于指示所述附图的方位。由于本发明的实施例的组件可以布置在一些不同的方位，方向术语仅用于说明目的而非进行限制。应该理解的是，可以利用其他实施例，也可以在不偏离权利要求限定的范围的情况下进行结构和逻辑修改。

对实施例的描述并非对本发明的限制。特别地，下文描述的实施例的元件可以与不同实施例的元件组合在一起。

在下面描述中使用的术语“晶片”、“衬底”或“半导体衬底”可以包括具有半导体表面的任何以半导体为基础的结构。晶片和结构应该理解为包括硅、绝缘体上的硅(SOI)、蓝宝石上的硅(SOS)、掺杂和无掺杂半导体、基础半导体支承的硅外延层和其他半导体结构。半导体不需要以硅为基础。半导体也可以是硅锗、锗或砷化镓。根据其他实施例，碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)可以形成半导体衬底材料。

附图和描述通过在掺杂类型“n”或“p”旁边指示“-”或“+”来说明相对掺杂浓度。例如，“n-”表示掺杂浓度低于“n”掺杂区域的掺杂浓度，“n+”掺杂区域的掺杂浓度高于“n-”掺杂区域的掺杂浓度。具有相同的相对掺杂浓度的掺杂区域并不一定具有相同的绝对掺杂浓度。例如，“n”掺杂区域可以具有相同或不同的绝对掺杂浓度。在附图和描述中，为了更好地理解，通常掺杂部分标识为掺杂“p”或“n”。应该清楚理解的是，该标识并不旨在限制目的。掺杂类型可以是任意类型，只要能够实现所描述的功能。进一步地，在所有实施例中，掺杂类型可以是反向的。

在本说明书中使用的术语“耦合”和/或“电耦合”并不旨在表示元件必须直接耦合在一起–干预元件可以提供在“耦合”或“电耦合”元件之间。术语“电连接”用于描述电连接在一起的元件之间的低电阻电连接。

此处使用的术语“具有”、“包含”、“包括”、“由…组成”等是开放式术语，指示所述元件或特征的存在，但不排除附加元件或特征。除非上下文明确说明，否则“一个”和“所述”包括单数和复数。