[发明专利]具有能带结构电位波动的高效紫外发光二极管有效
| 申请号： | 201510631688.8 | 申请日： | 2011-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN105161402B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 廖翊韬;T·D·穆斯塔克斯 | 申请（专利权）人： | 波士顿大学理事会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有能带结构电位波动的高效紫外发光二极管。一种生长AlGaN半导体材料的方法利用高于通常使用的化学计量量的过量的Ga。过量Ga导致能带结构电位波动的形成，提高了辐射性再结合的效率，并增大了使用该方法制成的光电器件，尤其是紫外发光二极管的光生成。还提供了UV LED设计和性能的若干改进，以与过量Ga生长方法一起使用。以该方法制成的器件可以用于水净化、表面消毒、通信、数据存储和取回。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 能带 结构 电位 波动 高效 紫外 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种制造紫外发光二极管的方法，在所述LED的有源区中具有能带结构电位波动，所述方法包括使用过量的镓来生长第一AlGaN量子阱层的步骤。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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