[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板有效
申请号: | 201510629727.0 | 申请日: | 2015-09-28 |
公开(公告)号: | CN105161505B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 王守坤;袁剑峰;郭会斌;冯玉春;李梁梁;郭总杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板,涉及显示技术领域,解决了现有的公共电极和公共电极线连接的过孔深,公共电极与公共电极线的连接容易断裂的问题。一种阵列基板,包括:衬底基板;第一信号传输层,第一信号传输层包括:公共电极线;第一绝缘层,第一绝缘层覆盖第一信号传输层,且在对应公共电极线的位置处具有第一过孔;第一电极层,第一电极层位于第一绝缘层上,包括:连接电极,连接电极位于第一过孔位置处;第二绝缘层,第二绝缘层覆盖第一电极层,且在对应连接电极的位置处具有第二过孔;第二电极层,第二电极层包括公共电极,公共电极覆盖第二过孔;其中,连接电极分别与公共电极线、公共电极接触。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板;第一信号传输层,所述第一信号传输层包括:公共电极线;第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述第一信号传输层,且在对应所述公共电极线的位置处具有第一过孔;第一电极层,所述第一电极层位于所述第一绝缘层上,包括:连接电极,所述连接电极位于所述第一过孔位置处;第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一电极层,且在对应所述连接电极的位置处具有第二过孔;所述第二过孔位于对应所述第一过孔的位置处;第二电极层,所述第二电极层包括公共电极,所述公共电极覆盖所述第二过孔;其中,所述连接电极分别与所述公共电极线、公共电极接触;所述第一电极层包括:第一电极子层,所述第一电极子层包括像素电极,以及位于所述第一过孔位置处的第一连接电极;第二电极子层,所述第二电极子层包括位于所述第一过孔位置处的第二连接电极,且所述第二电极子层位于所述第一电极子层上;所述第一信号传输层还包括:栅线以及栅极;所述阵列基板还包括:栅绝缘层,所述栅绝缘层覆盖所述第一信号传输层,其中,所述栅绝缘层在对应所述公共电极线的位置处具有第一子过孔;有源层,所述有源层位于所述栅绝缘层上;第二信号传输层,所述第二信号传输层包括数据线、源极和漏极;钝化层,所述钝化层在对应所述第一子过孔的位置处具有第二子过孔,且在对应所述漏极的位置处具有第三过孔,所述像素电极在所述第三过孔处与所述漏极连接;所述第一电极层位于所述钝化层上,所述第一绝缘层包括栅绝缘层以及钝化层,所述第二电极子层还包括辅助电极,所述辅助电极至少在对应所述第三过孔的位置处与所述像素电极连接;所述第二信号传输层还包括位于所述第一过孔位置处的第三连接电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510629727.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的