[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板有效
申请号: | 201510629727.0 | 申请日: | 2015-09-28 |
公开(公告)号: | CN105161505B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 王守坤;袁剑峰;郭会斌;冯玉春;李梁梁;郭总杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板,涉及显示技术领域,解决了现有的公共电极和公共电极线连接的过孔深,公共电极与公共电极线的连接容易断裂的问题。一种阵列基板,包括:衬底基板;第一信号传输层,第一信号传输层包括:公共电极线;第一绝缘层,第一绝缘层覆盖第一信号传输层,且在对应公共电极线的位置处具有第一过孔;第一电极层,第一电极层位于第一绝缘层上,包括:连接电极,连接电极位于第一过孔位置处;第二绝缘层,第二绝缘层覆盖第一电极层,且在对应连接电极的位置处具有第二过孔;第二电极层,第二电极层包括公共电极,公共电极覆盖第二过孔;其中,连接电极分别与公共电极线、公共电极接触。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
TFT-LCD因其体积小、重量轻、功耗低且无辐射等优点,在当前的平板显示器市场占据主导地位。TFT-LCD显示屏一般包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。TFT-LCD显示屏形成有几十万到上百万阵列排布的显示单元,每个显示单元通过TFT的控制来显示图像。
示例的,如图1所示,为现有的TFT-LCD显示屏阵列基板上对应一个显示单元的示意图,阵列基板上形成有多条栅线121和数据线16,栅线121和数据线16交叉定义一个显示单元。图2为图1所示的a-a′示意图,如图2所示,阵列基板包括:衬底基板11;形成在衬底基板11上的栅极(栅线121的部分)、公共电极线122;覆盖栅极121和公共电极线122的栅绝缘层13;形成在栅绝缘层13上的有源层14以及源极161和漏极162;钝化层15以及形成在钝化层15上的像素电极17;平坦层18以及形成在平坦层18上的公共电极19。其中,公共电极19通过平坦层18、钝化层15以及栅绝缘层13上的过孔1与公共电极线122连接,像素电极17通过钝化层15上的过孔2与漏极162连接。
发明人发现,现有的阵列基板上,如图2所示,由于过孔1贯穿平坦层18、钝化层15以及栅绝缘层13,过孔1较深,公共电极19与公共电极线122的连接容易出现断裂,出现显示不良,降低产品良率。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板,阵列基板上的公共电极通过多层导电层与公共电极线连接,避免过孔太深导致连接不良。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:
衬底基板;
第一信号传输层,所述第一信号传输层包括:公共电极线;
第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述第一信号传输层,且在对应所述公共电极线的位置处具有第一过孔;
第一电极层,所述第一电极层位于所述第一绝缘层上,包括:连接电极,所述连接电极位于所述第一过孔位置处;
第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一电极层,且在对应所述连接电极的位置处具有第二过孔;
第二电极层,所述第二电极层包括公共电极,所述公共电极覆盖所述第二过孔;
其中,所述连接电极分别与所述公共电极线、公共电极接触。
可选的,所述第二过孔位于对应所述第一过孔的位置处;或者,
所述连接电极从所述第一过孔伸出形成在所述第一绝缘层的上表面;所述第二绝缘层在对应所述连接电极伸出于所述第一过孔的位置处具有第二过孔。
可选的,所述第一电极层包括:
第一电极子层,所述第一电极子层包括像素电极,以及位于所述第一过孔位置处的第一连接电极;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的