[发明专利]通过预测损坏的m-页提高闪存利用率的方法和系统有效

专利信息
申请号: 201510629154.1 申请日: 2015-09-29
公开(公告)号: CN105468293B 公开(公告)日: 2019-02-12
发明(设计)人: H·塔巴雷茨;R·阿加瓦尔;J·P·费雷拉;J·S·邦威克;M·W·夏皮罗 申请(专利权)人: EMC公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;王艳春
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了一种通过预测损坏的m‑页提高闪存利用率的方法和系统,其涉及一种用于管理持久性存储器的方法。该方法包括选择用于主动读请求的页,其中,该页位于持久性存储器中。该方法还包括:向该页发布主动读请求,响应于该主动读请求而接收用于存储在该页上的数据的位错误值(BEV),获得用于该页的BEV阈值(T),其中,使用与该页相关联的编程/擦除循环值和存储在该页上的数据的保持时间来确定T,进行BEV大于T的第一确定,基于该第一确定:识别m‑页,其中,m‑页是一组页,其中,该页在该一组页中,以及将该m‑页设定为对未来操作不可分配。
搜索关键词: 通过 预测 损坏 提高 闪存 利用率 方法 系统
【主权项】:
1.一种用于管理持久性存储装置的方法,所述方法包括:选择用于主动读请求的页,其中,所述页位于所述持久性存储装置中;由控制模块向所述页发布所述主动读请求;响应于所述主动读请求而接收用于存储在所述页上的数据的位错误值;获得用于所述页的位错误值阈值T,其中,使用与所述页相关联的编程/擦除循环值和存储在所述页上的所述数据的保持时间来确定T;进行所述位错误值大于T的第一确定;基于所述第一确定:识别m‑页,其中,所述m‑页是一组页,其中,所述页在所述一组页中;以及将所述m‑页设定为对未来操作不可分配,并且其中,在将所述m‑页设定为不可分配之后,所述页保持可读。
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