[发明专利]半导体装置及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201510627465.4 申请日: 2011-01-12
公开(公告)号: CN105336744B 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 黑川义元 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/146;H01L31/032;H01L29/786;H04N5/232;H04N5/335;H04N5/374
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 李玲
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 半导体装置及其驱动方法。公开了包括能以高分辨率成像的光电传感器的半导体装置。该半导体装置包括具有光电二极管、第一晶体管、和第二晶体管的光电传感器。光电二极管根据光的强度产生电信号。第一晶体管在其栅极中存储电荷并将所存储的电荷转换为输出信号。该第二晶体管将该光电二极管产生的电信号传递至第一晶体管的栅极并保持存储在第一晶体管的栅极中的电荷。该第一晶体管具有背栅极且通过改变该背栅极的电位来改变该第一晶体管的阈值电压。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 驱动 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括多个光电传感器,所述多个光电传感器中的至少一个包括:光电二极管;和第一和第二晶体管,所述第一和第二晶体管各包括栅极、第一端子和第二端子,其中所述第一晶体管还包括背栅极,其中所述第二晶体管的所述第一端子直接连接到所述光电二极管,其中所述第二晶体管的所述第二端子直接连接到所述第一晶体管的所述栅极,其中所述第一晶体管包括包含硅的沟道形成区,以及其中所述第二晶体管包括包含氧化物半导体的沟道形成区。
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