[发明专利]半导体装置及其驱动方法有效
申请号: | 201510627465.4 | 申请日: | 2011-01-12 |
公开(公告)号: | CN105336744B | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 黑川义元 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/146;H01L31/032;H01L29/786;H04N5/232;H04N5/335;H04N5/374 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 驱动 方法 | ||
1.一种半导体装置,包括多个光电传感器,所述多个光电传感器中的至少一个包括:
光电二极管;和
第一和第二晶体管,所述第一和第二晶体管各包括栅极、第一端子和第二端子,
其中所述第一晶体管还包括背栅极,
其中所述第二晶体管的所述第一端子直接连接到所述光电二极管,
其中所述第二晶体管的所述第二端子直接连接到所述第一晶体管的所述栅极,
其中所述第一晶体管包括包含硅的沟道形成区,以及
其中所述第二晶体管包括包含氧化物半导体的沟道形成区。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一晶体管还包括栅极绝缘层。
3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述第一晶体管还包括绝缘膜。
4.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于还包括第三晶体管,
其中:
所述第三晶体管的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述第一端子。
5.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述第三晶体管包括包含硅的沟道形成区。
6.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于还包括第四晶体管,
其中:
所述第四晶体管的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述栅极;以及
所述第四晶体管的第二端子电连接到所述第一晶体管的所述第二端子。
7.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于还包括第三晶体管和第四晶体管,
其中:
所述第三晶体管的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述第一端子;
所述第四晶体管的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述栅极;以及
所述第四晶体管的第二端子电连接到所述第一晶体管的所述第二端子。
8.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于还包括第三晶体管和第四晶体管,
其中:
所述第三晶体管的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述第二端子;
所述第四晶体管的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述栅极;以及
所述第四晶体管的第二端子电连接到所述第三晶体管的第二端子。
9.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于还包括第四晶体管,
其中:
所述第四晶体管的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述栅极;以及
所述第四晶体管的第二端子电连接到所述第一晶体管的所述第一端子。
10.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述多个光电传感器中的所述一个包括显示元件。
11.一种包括如权利要求1所述的半导体装置的电子设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的