[发明专利]半导体装置及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201510627465.4 申请日: 2011-01-12
公开(公告)号: CN105336744B 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 黑川义元 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/146;H01L31/032;H01L29/786;H04N5/232;H04N5/335;H04N5/374
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 李玲
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括多个光电传感器,所述多个光电传感器中的至少一个包括:

光电二极管;和

第一和第二晶体管,所述第一和第二晶体管各包括栅极、第一端子和第二端子,

其中所述第一晶体管还包括背栅极,

其中所述第二晶体管的所述第一端子直接连接到所述光电二极管,

其中所述第二晶体管的所述第二端子直接连接到所述第一晶体管的所述栅极,

其中所述第一晶体管包括包含硅的沟道形成区,以及

其中所述第二晶体管包括包含氧化物半导体的沟道形成区。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一晶体管还包括栅极绝缘层。

3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述第一晶体管还包括绝缘膜。

4.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于还包括第三晶体管,

其中:

所述第三晶体管的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述第一端子。

5.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述第三晶体管包括包含硅的沟道形成区。

6.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于还包括第四晶体管,

其中:

所述第四晶体管的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述栅极;以及

所述第四晶体管的第二端子电连接到所述第一晶体管的所述第二端子。

7.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于还包括第三晶体管和第四晶体管,

其中:

所述第三晶体管的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述第一端子;

所述第四晶体管的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述栅极;以及

所述第四晶体管的第二端子电连接到所述第一晶体管的所述第二端子。

8.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于还包括第三晶体管和第四晶体管,

其中:

所述第三晶体管的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述第二端子;

所述第四晶体管的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述栅极;以及

所述第四晶体管的第二端子电连接到所述第三晶体管的第二端子。

9.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于还包括第四晶体管,

其中:

所述第四晶体管的第一端子电连接到所述第一晶体管的所述栅极;以及

所述第四晶体管的第二端子电连接到所述第一晶体管的所述第一端子。

10.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述多个光电传感器中的所述一个包括显示元件。

11.一种包括如权利要求1所述的半导体装置的电子设备。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510627465.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top