[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510626949.7 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105489653B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 新井耕一;久田贤一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体器件及其制造方法。在具有沟槽型MOS栅结构的碳化硅半导体器件中，本发明能抑制操作特性改变。在沟槽形成之后，通过实施将p型杂质倾斜离子注入到由具有彼此不同的注入能量的离子注入两次以上而形成的p |
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| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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