[发明专利]一种反应腔室及半导体加工设备

摘要

本发明公开了一种反应腔室，包括由下垫块、侧壁和上盖板构成的封闭的腔体和设于所述腔体内的平板加热器组件，上盖板与所述平板加热器组件之间设有匀流板，匀流板与上盖板之间形成匀流腔，上盖板上设有进气组件，进气组件的出气口与所述匀流腔连通，进气组件的出气口前方一定距离设有气流挡板。本发明的反应腔室工艺气体进入反应腔室之前经过两次匀流，具有工艺气体进入速度快、气体分布均匀的优点，改善了工艺质量，提高了半导体材料的成膜质量，且工艺气体直接从腔体顶部进入反应腔室，提高工艺气体进入反应腔室的速度。

主权项

一种反应腔室，包括由下垫块（3）、侧壁（2）和上盖板（1）构成的封闭的腔体和设于所述腔体内的平板加热器组件（4），其特征在于：所述上盖板（1）与所述平板加热器组件（4）之间设有匀流板（5），所述匀流板（5）与上盖板（1）之间形成匀流腔（6），所述上盖板（1）上设有进气组件（7），所述进气组件（7）的出气口与所述匀流腔（6）连通，所述进气组件（7）的出气口前方一定距离设有气流挡板（8），所述上盖板（1）内设有进气缓冲腔（9），所述进气组件（7）的出气口与所述进气缓冲腔（9）连通，所述进气缓冲腔（9）底部设有缓冲出口（10），所述气流挡板（8）设于所述缓冲出口（10）前方一定距离。