[发明专利]一种反应腔室及半导体加工设备有效
申请号: | 201510625538.6 | 申请日: | 2015-09-28 |
公开(公告)号: | CN105088193B | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 张宇;田湘龙;吴德轶;胡昌文 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人: | 周长清,戴玲 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 反应 半导体 加工 设备 | ||
1.一种反应腔室,包括由下垫块(3)、侧壁(2)和上盖板(1)构成的封闭的腔体和设于所述腔体内的平板加热器组件(4),其特征在于:所述上盖板(1)与所述平板加热器组件(4)之间设有匀流板(5),所述匀流板(5)与上盖板(1)之间形成匀流腔(6),所述上盖板(1)上设有进气组件(7),所述进气组件(7)的出气口与所述匀流腔(6)连通,所述进气组件(7)的出气口前方一定距离设有气流挡板(8),所述上盖板(1)内设有进气缓冲腔(9),所述进气组件(7)的出气口与所述进气缓冲腔(9)连通,所述进气缓冲腔(9)底部设有缓冲出口(10),所述气流挡板(8)设于所述缓冲出口(10)前方一定距离。
2.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于:所述进气组件(7)包括进气管(11)、进气法兰(12)和进气绝缘盘(13),所述进气法兰(12)通过紧固螺栓(14)将进气绝缘盘(13)压紧在上盖板(1)上,所述上盖板(1)的外端面上设有凹槽(15),所述进气绝缘盘(13)与所述凹槽(15)构成所述进气缓冲腔(9)。
3.根据权利要求1或2所述的反应腔室,其特征在于:所述气流挡板(8)通过挡板螺栓(16)固定于上盖板(1)内端面上。
4.根据权利要求1或2所述的反应腔室,其特征在于:所述腔体外周设有用于将腔体与外界隔离的隔离罩(17)。
5.根据权利要求1或2所述的反应腔室,其特征在于:所述上盖板(1)与侧壁(2)的结合处设有绝缘盘(18)和托盘(19),所述绝缘盘(18)设于上盖板(1)和托盘(19)之间,所述匀流板(5)悬挂于托盘(19)上。
6.根据权利要求1或2所述的反应腔室,其特征在于:所述侧壁(2)上设有用于观察腔体内部的观察口(20)。
7.一种半导体加工设备,包括机架(21)、开盖机构(22)、电器系统(23)、真空系统(24)和气路系统(25),其特征在于:所述半导体加工设备还包括权利要求1至6任意一项所述的反应腔室,所述反应腔室位于机架(21),所述真空系统(24)和气路系统(25)均与反应腔室相连,所述开盖机构(22)用于打开反应腔室。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的