[发明专利]集成电路结构

摘要

本发明提供一种集成电路结构。上述集成电路结构包括一阱区，其具有一第一导电类型。一射极，其具有相反于上述第一导电类型的一第二导电类型，上述射极位于上述阱区上方。一集极，其具有上述第二导电类型，上述集极位于上述阱区上方，且大体上环绕上述射极。一基极接触，其具有上述第一导电类型，上述基极接触位于上述阱区上方。上述基极接触将上述射极和上述集极水平隔开。至少一导电条状物，与上述射极、上述集极和上述基极接触彼此水平隔开。一介电层，位于至少一上述导电条状物的正下方，且与至少一上述导电条状物接触。本发明具有高射频频率和高电流增益，并导致闪烁噪声的降低，另外可降低工艺成本。

主权项

1.一种集成电路结构，包括：一阱区，其具有一第一导电类型；一埋藏氧化物区；一半导体基板，位于该埋藏氧化物区的正下方；一保护环，由延伸进入该半导体基板中的一浅沟槽隔离物形成，该保护环完全环绕该阱区；一射极，其具有相反于该第一导电类型的一第二导电类型，该射极和该埋藏氧化物区分别位于该阱区上方和正下方；一集极，其具有该第二导电类型，该集极和该埋藏氧化物区分別位于该阱区上方和正下方，且大体上环绕该射极，其中该射极位于该集极的一顶点上；一基极接触，其具有该第一导电类型，该基极接触位于该阱区上方；至少一导电条状物，将该射极、该集极和该基极接触彼此水平隔开；一介电层，位于至少一所述导电条状物的正下方，且与至少一所述导电条状物接触；以及一额外阱区，其形成环绕该阱区和该埋藏氧化物区的一环形物，该额外阱区具有该第二导电类型。