[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201510622094.0 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105304746A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 王进;张娟;陈光羽;谷士斌;张林;田小让;侯洪涛;赵冠超;何延如;杨荣;王琦;李立伟;郭铁 | 申请（专利权）人： | 新奥光伏能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/074 | 分类号： | H01L31/074;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 065001 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，用以去除传送过程中晶体硅片表面和硅薄膜层上的沾污和氧化层，提高晶体硅片表面的钝化质量，提升电池的填充因子和转换效率。所述异质结太阳能电池的制备方法，包括：在晶体硅片第一侧表面沉积第一硅薄膜层，在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层；在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之前，对所述第一硅薄膜层和所述晶体硅片第二侧表面进行清洗，和/或在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之后，对所述第一硅薄膜层和所述第二硅薄膜层进行清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在晶体硅片第一侧表面沉积第一硅薄膜层，在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层；在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之前，对所述第一硅薄膜层和所述晶体硅片第二侧表面进行清洗，和/或在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之后，对所述第一硅薄膜层和所述第二硅薄膜层进行清洗，其中，所述晶体硅片的第一侧表面与第二侧表面相对。
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