[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

在晶体硅片第一侧表面沉积第一硅薄膜层，在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层；

在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之前，对所述第一硅薄膜层和所述晶体硅片第二侧表面进行清洗，和/或在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之后，对所述第一硅薄膜层和所述第二硅薄膜层进行清洗，其中，所述晶体硅片的第一侧表面与第二侧表面相对。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，清洗时使用的清洗液中包括：氢氟酸溶液和双氧水溶液。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述清洗液中氢氟酸溶液的浓度大于或等于0.5％且小于或等于5％。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述清洗液中氢氟酸溶液的浓度大于或等于1％且小于或等于2％。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述清洗液中双氧水溶液的浓度大于或等于0.5％且小于或等于5％。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述清洗液中双氧水溶液的浓度大于或等于1％且小于或等于2％。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，清洗的时间大于或等于1分钟且小于或等于10分钟。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述清洗的时间大于或等于2分钟且小于或等于8分钟。

9.根据权利要求7-8中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述清洗的时间大于或等于3分钟且小于或等于6分钟。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在晶体硅片第一侧表面沉积第一硅薄膜层之前，该方法还包括：对所述晶体硅片进行制绒清洗；

在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之后或者在对所述第一硅薄膜层和所述第二硅薄膜层进行清洗之后，该方法还包括：在所述第一硅薄膜层表面和所述第二硅薄膜层表面沉积透明导电膜，并对沉积透明导电膜之后的晶体硅片进行丝网印刷和退火处理。

11.根据权利要求1或10所述的制备方法，其特征在于，所述在晶体硅片第一侧表面沉积第一硅薄膜层，包括：

在晶体硅片第一侧表面依次沉积第一本征层I层和掺杂层P层，或者

在晶体硅片第一侧表面依次沉积第一本征层I层和掺杂层N层。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，

当在晶体硅片第一侧表面依次沉积第一本征层I层和掺杂层P层时，所述在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层，包括：在晶体硅片第二侧表面依次沉积第二本征层I层和掺杂层N层；以及

当在晶体硅片第一侧表面依次沉积第一本征层I层和掺杂层N层时，所述在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层，包括：在晶体硅片第二侧表面依次沉积第二本征层I层和掺杂层P层。

13.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：所述异质结太阳能电池采用如权利要求1-12中任一项所述的制备方法制备而成。