[发明专利]金属电极结构的制造方法有效
| 申请号： | 201510621880.9 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN106553992B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张瑞朋;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属电极结构的制造方法，包括：提供基底，所述基底内形成有器件，在所述基底表面依次形成粘附膜和金属电极膜；对金属电极膜进行第一刻蚀工艺，形成金属电极层；对粘附膜进行第二刻蚀工艺，直至露出位于所述粘附膜内的残留金属电极膜；采用第三刻蚀工艺，去除位于所述粘附膜内残留金属电极膜；对剩余的粘附膜进行第四刻蚀工艺，形成黏附层，所述黏附层与所述金属电极层构成金属电极结构。本发明通过先刻蚀部分粘附膜直至暴露出位于所述粘附膜内的残留金属电极膜，然后刻蚀去除所述残留金属电极膜，最后再刻蚀去除剩余的所述粘附膜，使形成金属电极结构后基底表面的残留物减少，从而提升了器件的性能及良率。 | ||
| 搜索关键词： | 粘附膜 金属电极结构 残留金属 电极膜 刻蚀工艺 刻蚀 去除 金属电极层 金属电极膜 基底表面 黏附层 基底 良率 制造 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种金属电极结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成粘附膜；在所述粘附膜表面形成金属电极膜，部分所述金属电极膜形成于所述粘附膜中；在所述金属电极膜表面形成图形层，以所述图形层为掩膜，对所述金属电极膜进行第一刻蚀工艺，直至暴露所述粘附膜表面，形成金属电极层；以所述图形层为掩膜，对所述粘附膜进行第二刻蚀工艺，去除部分所述粘附膜，直至暴露位于所述粘附膜中的金属电极膜；以所述图形层为掩膜，对位于所述粘附膜中的金属电极膜进行第三刻蚀工艺，去除所述金属电极膜；以所述图形层为掩膜，对所述粘附膜进行第四刻蚀工艺，去除剩余的所述粘附膜，直至露出所述基底表面，形成粘附层；去除所述图形层。
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