[发明专利]金属电极结构的制造方法

说明书

一种金属电极结构的制造方法，包括：提供基底，所述基底内形成有器件，在所述基底表面依次形成粘附膜和金属电极膜；对金属电极膜进行第一刻蚀工艺，形成金属电极层；对粘附膜进行第二刻蚀工艺，直至露出位于所述粘附膜内的残留金属电极膜；采用第三刻蚀工艺，去除位于所述粘附膜内残留金属电极膜；对剩余的粘附膜进行第四刻蚀工艺，形成黏附层，所述黏附层与所述金属电极层构成金属电极结构。本发明通过先刻蚀部分粘附膜直至暴露出位于所述粘附膜内的残留金属电极膜，然后刻蚀去除所述残留金属电极膜，最后再刻蚀去除剩余的所述粘附膜，使形成金属电极结构后基底表面的残留物减少，从而提升了器件的性能及良率。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种金属电极结构的制造方法。

背景技术

金属电极结构用于实现器件的导通和器件与其他器件之间的互连，因此，金属电极结构的制备成为了生产器件的主要工序之一。

比如，MEMS(Micro Electro Mechanical System，微机电系统)技术，MESM技术作为一项新兴的细微加工技术，现已被广泛运用于半导体领域中，相应地，MEMS器件金属电极结构的制备也成为了MEMS器件制造的主要工序之一。

目前主要采用Au层作为器件的金属电极层，同时为了增加Au电极层和基底之间的粘附力，一般采用Cr层作为Au电极层和基底之间的粘附层。

但是，现有技术形成的器件性能和良率有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种金属电极结构的制造方法，提高器件的性能及良率。

为解决上述问题，本发明提供一种金属电极结构的制造方法。包括如下步骤：

提供基底；在所述基底表面形成粘附膜；在所述粘附膜表面形成金属电极膜，部分所述金属电极膜形成于所述粘附膜中；在所述金属电极膜表面形成图形层，以所述图形层为掩膜，对所述金属电极膜进行第一刻蚀工艺，直至暴露所述粘附膜表面，形成金属电极层；以所述图形层为掩膜，对所述粘附膜进行第二刻蚀工艺，去除部分所述粘附膜，直至暴露位于所述粘附膜中的金属电极膜；以所述图形层为掩膜，对位于所述粘附膜中的金属电极膜进行第三刻蚀工艺，去除所述金属电极膜；以所述图形层为掩膜，对所述粘附膜进行第四刻蚀工艺，去除剩余的所述粘附膜，直至露出所述基底表面，形成粘附层；去除所述图形层。

可选的，所述粘附膜的材料为Cr。

可选的，形成粘附膜的步骤中，所述粘附膜的厚度为至

可选的，形成所述粘附膜的工艺为物理气相沉积法。

可选的，所述金属电极膜的材料为Au。

可选的，形成金属电极膜的步骤中，所述金属电极膜的厚度为至

可选的，形成所述金属电极膜的工艺为物理气相沉积法。

可选的，所述第一刻蚀工艺、第二刻蚀工艺、第三刻蚀工艺和第四刻蚀工艺均为湿法刻蚀工艺。

可选的，所述第一刻蚀工艺所采用的刻蚀液为碘、碘化钾和水构成的混合液，碘的体积浓度为1％至1.5％，碘化钾的体积浓度为3.5％至5.5％，工艺温度为20℃至30℃，工艺时间为220秒至260秒。

可选的，所述第二刻蚀工艺所采用的刻蚀液为硝酸、硝酸铵铈和水构成的混合液，硝酸的质量浓度为8％至15％，硝酸铵铈的质量浓度为10％至20％，工艺温度为20℃至30℃，工艺时间为35秒至45秒。

可选的，所述第三刻蚀工艺所采用的刻蚀液为碘、碘化钾和水构成的混合液，碘的体积浓度为1％至1.5％，碘化钾的体积浓度为3.5％至5.5％，工艺温度为20℃至30℃，工艺时间为55秒至65秒。