[发明专利]基板热处理装置、基板热处理方法以及热处理状态检测装置有效
申请号: | 201510617497.6 | 申请日: | 2015-09-24 |
公开(公告)号: | CN105470165B | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 东广大;三坂晋一朗 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供能够更可靠地检测热处理状态的异常的基板热处理装置、基板热处理方法以及热处理状态检测装置。热处理单元(U2)包括:热板(20),其用于载置晶圆(W);加热器(21),其用于对载置部上的晶圆(W)进行加热;多个温度传感器(40),其以与热板(20)上的晶圆(W)的多个部位分别相对应的方式配置;以及控制部(100)。控制部(100)以能执行如下步骤的方式构成,即,根据由多个温度传感器(40)检测出的温度来控制加热器(21)的步骤、计算在将由多个温度传感器(40)检测出的温度视作质量的情况下的相当于重心的温度重心的位置的步骤、根据所述温度重心的位置来检测晶圆(W)的热处理状态的步骤。 | ||
搜索关键词: | 热处理 装置 方法 以及 状态 检测 | ||
【主权项】:
1.一种基板热处理装置,其中,该基板热处理装置包括:载置部,其用于载置基板;热处理部,其用于对所述载置部上的所述基板进行加热或冷却;多个温度传感器,其以与所述载置部上的所述基板的多个部位分别相对应的方式配置;以及控制部,其以能执行如下步骤的方式构成,即,根据由所述多个温度传感器检测出的温度来控制所述热处理部的步骤、计算在将由所述多个温度传感器检测出的温度视作质量的情况下的相当于重心的温度重心的位置的步骤、根据所述温度重心的位置来检测所述基板的热处理状态的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造