[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法有效

专利信息
申请号: 201510617300.9 申请日: 2015-09-24
公开(公告)号: CN105470088B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 大泽笃史;山本悟史 申请(专利权)人: 株式会社思可林集团
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;C23C14/34;C23C16/44
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司72003 代理人: 金相允
地址: 日本国京*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法,提供能够解决振荡等问题的气体供给技术。两个第一供给部(21a)以固定的第一供给量从开口部(22a)向腔室(11)内供给反应性气体。第二供给部(21b)以可变的第二供给量从开口部(22b)向腔室(11)内供给反应性气体。在等离子体处理中,利用PEM法的反馈控制调整第二供给量。这样,由于溅射装置(10)具有进行第二供给量的反馈控制的一个第二供给部(21b),所以能够消除因存在多个反馈控制所引起的振荡的问题。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 以及 方法
【主权项】:
一种等离子体处理装置,一边向生成等离子体的处理空间供给气体,一边在所述处理空间内对沿着搬运方向进行搬运的基材执行等离子体处理,其特征在于,具有:搬运部,在所述处理空间内沿着所述搬运方向搬运所述基材,至少一个第一供给部,以预定的固定的第一供给量从至少一个第一开口部向所述处理空间内供给所述气体,至少一个第二供给部,以第二供给量从至少一个第二开口部向所述处理空间内供给所述气体,调整部,对所述处理空间内的存在于中央侧的所述气体的量进行测量,并根据测量结果进行反馈控制,从而调整所述等离子体处理中的所述第二供给量,以及等离子体生成部,在所述处理空间内生成等离子体;在所述处理空间内的与所述基材的主面平行的面内,所述至少一个第一开口部与所述至少一个第二开口部沿着与所述搬运方向垂直的宽度方向交替地配置,所述调整部利用等离子体发射监控PEM法来调整所述第二供给量。
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