[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，一边向生成等离子体的处理空间供给气体，一边在所述处理空间内对沿着搬运方向进行搬运的基材执行等离子体处理，其特征在于，

具有：

搬运部，在所述处理空间内沿着所述搬运方向搬运所述基材，

至少一个第一供给部，以预定的固定的第一供给量从至少一个第一开口部向所述处理空间内供给所述气体，

至少一个第二供给部，以第二供给量从至少一个第二开口部向所述处理空间内供给所述气体，

调整部，对所述处理空间内的存在于中央侧的所述气体的量进行测量，并根据测量结果进行反馈控制，从而调整所述等离子体处理中的所述第二供给量，以及

等离子体生成部，在所述处理空间内生成等离子体；

在所述处理空间内的与所述基材的主面平行的面内，所述至少一个第一开口部与所述至少一个第二开口部沿着与所述搬运方向垂直的宽度方向交替地配置，

所述调整部利用等离子体发射监控PEM法来调整所述第二供给量。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一开口部向所述基材的所述主面中的不成为等离子体处理的对象的非处理区域开口，所述第二开口部向所述基材的所述主面中的成为等离子体处理的对象的处理区域开口。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述基材呈矩形形状，所述基材的所述宽度方向的长度为700毫米以上。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气体为氧气，

在所述等离子体处理中，在所述处理空间内溅射铝靶材，并在与该铝靶材对置的所述基材上形成氧化铝的膜。

5.一种等离子体处理方法，一边向生成等离子体的处理空间供给气体，一边在所述处理空间内对沿着搬运方向进行搬运的基材执行等离子体处理，其特征在于，

具有：

设定工序，对从至少一个第一开口部向所述处理空间供给所述气体时的第一供给量进行设定，以及

等离子体处理工序，执行所述等离子体处理；

所述等离子体处理工序具有：

第一供给工序，至少一个第一供给部以固定的所述第一供给量从所述至少一个第一开口部向所述处理空间内供给所述气体，

第二供给工序，至少一个第二供给部以第二供给量从至少一个第二开口部向所述处理空间内供给所述气体，

调整工序，对所述处理空间内的存在于中央侧的所述气体的量进行测量，并根据测量结果进行反馈控制，从而调整所述第二供给量，

等离子体生成工序，在所述处理空间内生成等离子体，以及

搬运工序，在所述处理空间内沿着所述搬运方向搬运所述基材；

在所述处理空间内的与所述基材的主面平行的面内，所述至少一个第一开口部与所述至少一个第二开口部沿着与所述搬运方向垂直的宽度方向交替地配置，

在所述调整工序中，利用等离子体发射监控PEM法来调整所述第二供给量。

6.如权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述第一开口部向所述基材的所述主面中的不成为等离子体处理的对象的非处理区域开口，所述第二开口部向所述基材的所述主面中的成为等离子体处理的对象的处理区域开口。

7.如权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述基材呈矩形形状，所述基材的所述宽度方向的长度为700毫米以上。

8.如权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于，

所述气体为氧气，

在所述等离子体处理工序中，在所述处理空间内溅射铝靶材，并在与该铝靶材对置的所述基材上形成氧化铝的膜。