[发明专利]MoN纳米材料及对电极的制备方法有效
| 申请号： | 201510616316.8 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105206427B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 齐立红;武彩云;尹卓勋 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01M14/00;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种MoN纳米材料及对电极的制备方法。利用水热法制备MoO3纳米带；在MoO3纳米带基础上，加入苯胺和过硫酸铵利用冷水浴法制备MoO3·PANI；将所得的MoO3·PANI在NH3条件下以退火处理，得到MoN纳米材料。将MoN纳米材料与松油醇按混合并超声搅拌，把所得的浆料用刮涂法涂在导电玻璃上，在氩气条件下退火处理得到用于组装的对电极。本发明方法成功实现了MoN纳米材料的制备，并且以此MoN纳米材料制备了对电极，该种染料敏化太阳能电池的光电转换效率较高，且适合于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | mon 纳米 材料 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MoN纳米材料的制备方法，其特征是包括如下步骤：步骤一，利用水热法制备MoO3纳米带；步骤二，在MoO3纳米带基础上，加入苯胺和过硫酸铵利用冷水浴法制备MoO3·PANI；步骤三，将所得的MoO3·PANI在NH3条件下以退火处理，得到MoN纳米材料。
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