[发明专利]MoN纳米材料及对电极的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510616316.8 申请日: 2015-09-24
公开(公告)号: CN105206427B 公开(公告)日: 2017-10-31
发明(设计)人: 齐立红;武彩云;尹卓勋 申请(专利权)人: 哈尔滨工程大学
主分类号: H01G9/042 分类号: H01G9/042;H01M14/00;H01L31/0224
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: mon 纳米 材料 电极 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种MoN纳米材料的制备方法,其特征是包括如下步骤:

步骤一,利用水热法制备MoO3纳米带;

步骤二,在MoO3纳米带基础上,加入苯胺和过硫酸铵利用冷水浴法制备MoO3·PANI;

步骤三,将所得的MoO3·PANI在NH3条件下以退火处理,得到MoN纳米材料。

2.根据权利要求1所述的MoN纳米材料的制备方法,其特征是:MoO3纳米带、苯胺和过硫酸铵的量分别为0.1—0.2g,0.2—0.4mL和0.2—0.5g。

3.根据权利要求1或2所述的MoN纳米材料的制备方法,其特征是:所述退火处理的条件为800—1000摄氏度持续3—8个小时。

4.一种基于权利要求1的制备方法得到的MoN纳米材料的对电极的制备方法,其特征是:将MoN纳米材料与松油醇按50mg:0.5—1mL的比例混合并超声搅拌,把所得的浆料用刮涂法涂在导电玻璃上,在氩气条件下退火处理得到用于组装的对电极。

5.根据权利要求4所述的对电极的制备方法,其特征是:在氩气条件下退火处理的条件为400—500摄氏度持续1—2个小时。

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