[发明专利]一种多芯片边胶去除方法有效
| 申请号: | 201510607514.8 | 申请日: | 2015-09-22 |
| 公开(公告)号: | CN105242503B | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
| 发明(设计)人: | 施长治;林春 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42;G03F9/00;H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种多芯片边胶去除方法,去除装置有一个对芯片边胶进行选择性曝光的光刻掩膜版和一个用于承载并定位芯片的样品吸盘,样品吸盘上的十字凸台既可以用作定位芯片,也可以用作光刻的对版标记;样品吸盘中部开有孔槽,可配合光刻机吸盘固定芯片。光刻掩膜版上十字型图形内部有与十字凸台相对应的对准标记。将待去边胶的方形芯片放置在中央有十字定位凸台的样品吸盘上,用带有对准标记和十字掩膜图形的光刻掩膜版对芯片进行两步曝光,经过显影及定影后,去除掉芯片的边胶。该方法提高了方形芯片边胶去除效率,从而减小了后续光刻工艺的极限尺寸和套准难度。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 去除 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多芯片边胶去除方法,该方法采用的去除装置包括光刻掩膜版(1)和样品吸盘(2),所述的光刻掩膜版(1)上有一个覆盖整个光刻版的十字图形(3),十字图形(3)内部整体为透光,其外部区域为不透光,十字图形(3)内部有四个长条形的对版标记(4);所述的对版标记(4)为不透光并呈十字排列,其对称中心为十字图形(3)的中心;每条对版标记的两端或近对称中心一端有对准图案;所述的样品吸盘(2)上表面中央有四个长条形定位凸台(5),呈十字排列;相邻凸台间所夹的区域开有吸盘孔(6),用于吸附芯片;样品吸盘(2)背面作抛光处理,使其具有良好的真空吸附性;所述的定位凸台(5)的侧壁与样品吸盘(2)上表面夹角成90°;定位凸台(5)高度小于待去边胶的芯片厚度;定位凸台(5)宽度大于对版标记(4)的宽度,且小于十字图形(3)宽度与芯片边胶区域宽度的2倍之差;定位凸台两端为三角形,与对版标记(4)两端的对准图案有套准关系;其特征在于所述的去除方法步骤如下:1)、四片方形芯片表面旋转涂覆光致抗蚀剂并进行前烘,将光刻掩膜版(1)安装在光刻机的掩膜版吸盘上;2)、将样品吸盘(2)放置于光刻机的样品吸盘上,再将前烘好的芯片放置在样品吸盘(2)上定位,使每片芯片任一顶角的相邻直角边侧壁与定位凸台(5)侧壁接触,开启光刻机的真空吸片;3)、进行对版,使光刻掩膜版(1)上十字图形(3)内部的四个长条形对版标记(4)两端的对准图案与样品吸盘(2)上四个定位凸台(5)两端的三角形顶点套准;4)、接触式曝光,曝光时间为该光致抗蚀剂标准曝光时间的2~5倍;5)、将每片芯片旋转180°,使与2)步骤中顶角的相对顶角直角边与凸台(5)侧壁接触,重复(2)~(4)步骤;6)、对曝光后的芯片进行显影和定影,显影时间为该光致抗蚀剂标准显影时间的1.5~3倍;7)、将去除边胶后的芯片用氮气吹干,并烘干2~5分钟,用于正式光刻。
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