[发明专利]一种多芯片边胶去除方法

权利要求书

1.一种多芯片边胶去除方法，该方法采用的去除装置包括光刻掩膜版(1)和样品吸盘(2)，所述的光刻掩膜版(1)上有一个覆盖整个光刻版的十字图形(3)，十字图形(3)内部整体为透光，其外部区域为不透光，十字图形(3)内部有四个长条形的对版标记(4)；所述的对版标记(4)为不透光并呈十字排列，其对称中心为十字图形(3)的中心；每条对版标记的两端或近对称中心一端有对准图案；所述的样品吸盘(2)上表面中央有四个长条形定位凸台(5)，呈十字排列；相邻凸台间所夹的区域开有吸盘孔(6)，用于吸附芯片；样品吸盘(2)背面作抛光处理，使其具有良好的真空吸附性；所述的定位凸台(5)的侧壁与样品吸盘(2)上表面夹角成90°；定位凸台(5)高度小于待去边胶的芯片厚度；定位凸台(5)宽度大于对版标记(4)的宽度，且小于十字图形(3)宽度与芯片边胶区域宽度的2倍之差；定位凸台两端为三角形，与对版标记(4)两端的对准图案有套准关系；其特征在于所述的去除方法步骤如下：

1)、四片方形芯片表面旋转涂覆光致抗蚀剂并进行前烘，将光刻掩膜版(1)安装在光刻机的掩膜版吸盘上；

2)、将样品吸盘(2)放置于光刻机的样品吸盘上，再将前烘好的芯片放置在样品吸盘(2)上定位，使每片芯片任一顶角的相邻直角边侧壁与定位凸台(5)侧壁接触，开启光刻机的真空吸片；

3)、进行对版，使光刻掩膜版(1)上十字图形(3)内部的四个长条形对版标记(4)两端的对准图案与样品吸盘(2)上四个定位凸台(5)两端的三角形顶点套准；

4)、接触式曝光，曝光时间为该光致抗蚀剂标准曝光时间的2～5倍；

5)、将每片芯片旋转180°，使与2)步骤中顶角的相对顶角直角边与凸台(5)侧壁接触，重复(2)～(4)步骤；

6)、对曝光后的芯片进行显影和定影，显影时间为该光致抗蚀剂标准显影时间的1.5～3倍；

7)、将去除边胶后的芯片用氮气吹干，并烘干2～5分钟，用于正式光刻。