[发明专利]一种阵列基板的制作方法及阵列基板

摘要

本发明公开了一种阵列基板的制作方法包括在玻璃基板上方依次形成遮光层、缓冲层、多晶硅层、绝缘材料、第一金属层、隔离层、所述第二金属层、绝缘层、以及像素电极层。在形成了多晶硅层后，在多晶硅层上方先涂覆一绝缘材料；接着才使用离子植入机在绝缘材料上方进行离子植入，从而形成沟道；这样便有效避免了在离子植入制程中将离子直接打在多晶硅层上，从而造成多晶硅层表面缺陷，影响TFT特性的问题。本发明有效改善了离子植入制程中对多晶硅层表面的损失。

主权项

一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括：提供一玻璃基板；在所述玻璃基板上方沉积遮光层，并对所述遮光层进行图形化处理以形成遮光片；在所述遮光层上方形成缓冲层；在所述缓冲层上方形成多晶硅层；在所述多晶硅层上方涂覆一绝缘材料；使用离子植入机在绝缘材料上方进行离子植入，形成沟道；具体包括：所述多晶硅层包括沟道区域、源极区域、和漏极区域，使用离子植入机在沟道区域进行离子植入，形成沟道，在源极区域离子植入高剂量P掺杂，形成N+；离子植入低剂量P掺杂，形成N‑；在漏极区域离子植入高剂量P掺杂，形成N+；离子植入低剂量P掺杂，形成N‑；在所述绝缘材料上方沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图形化处理以形成栅极；在所述第一金属层上方形成隔离层，用于隔离所述第一金属层和第二金属层；在所述隔离层上方沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图形化处理以形成源极和漏极；在所述第二金属层上方形成绝缘层，用于隔离所述第二金属层和像素电极层；在所述绝缘层上方沉积像素电极层，并对所述像素电极层进行图形化处理以形成像素电极。