[发明专利]一种阵列基板的制作方法及阵列基板

说明书

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。

【背景技术】

在LTPS(低温多晶硅)制程中，为制作NMOS或PMOS的通道层，需进行离子植入。然而，现有技术中的离子植入制程是将离子直接打在多晶硅层上，这样容易造成多晶硅层表面缺陷，影响TFT特性。

故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述离子植入时对多晶硅层的损失的技术问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，旨在解决现有技术中存在的离子植入制程是将离子直接打在多晶硅层上，这样容易造成多晶硅层表面缺陷，影响TFT特性的问题。

为解决上述问题，本发明的技术方案如下：

本发明提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括：

提供一玻璃基板；

在所述玻璃基板上方沉积遮光层，并对所述遮光层进行图形化处理以形成遮光片；

在所述遮光层上方形成缓冲层；

在所述缓冲层上方形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上方涂覆一绝缘材料；

使用离子植入机进行离子植入，形成沟道；

在所述绝缘材料上方沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图形化处理以形成栅极；

在所述第一金属层上方形成隔离层，用于隔离所述第一金属层和第二金属层；

在所述隔离层上方沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图形化处理以形成源极和漏极；

在所述第二金属层上方形成绝缘层，用于隔离所述第二金属层和像素电极层；

在所述绝缘层上方沉积像素电极层，并对所述像素电极层进行图形化处理以形成像素电极。

优选的，在所述的阵列基板的制作方法中，在所述多晶硅层上方涂覆一绝缘材料的步骤，包括：

在所述多晶硅层上方涂覆一光阻，

在所述使用离子植入机进行离子植入，形成沟道的步骤之后，还包括：

去除掉所述光阻。

优选的，在所述的阵列基板的制作方法中，在所述多晶硅层上方涂覆一绝缘材料的步骤，包括：

在所述多晶硅层上方涂覆一氮化硅层。

优选的，在所述的阵列基板的制作方法中，在所述多晶硅层上方涂覆一绝缘材料的步骤，包括：

在所述多晶硅层上方涂覆一氧化硅层。

优选的，在所述的阵列基板的制作方法中，在所述遮光层上方形成缓冲层的步骤，包括：

在所述遮光层上方依次形成氮化硅层和氧化硅层。

优选的，在所述的阵列基板的制作方法中，在所述缓冲层上方形成多晶硅层的步骤，包括：

在所述缓冲层上形成一非晶硅层；

对所述非晶硅层进行准分子激光退火操作，形成多晶硅层。

本发明还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：

一玻璃基板；

一遮光层，设置于所述玻璃基板上方，所述遮光层包括遮光片；

一缓冲层，设置于所述遮光层上方；

一多晶硅层，设置于所述缓冲层上方；

一绝缘材料，设置于所述多晶硅层上方；

一第一金属层，设置于所述绝缘材料上方，所述第一金属层包括栅极；

一隔离层，设置于所述第一金属层上方，用于隔离所述第一金属层和第二金属层；

一所述第二金属层，设置于所述隔离层上方，所述第二金属层包括源极和漏极；

一绝缘层，设置于所述第二金属层上方，用于隔离所述第二金属层和像素电极层；

一像素电极层，设置于所述绝缘层上方，所述像素电极层包括像素电极。

优选的，在所述的阵列基板中，所述绝缘材料为氮化硅层。

优选的，在所述的阵列基板中，所述绝缘材料为氧化硅层。

优选的，在所述的阵列基板中，所述缓冲层包括：氮化硅层，以及设置于氮化硅层上方的氧化硅层。

相对现有技术，本发明在形成了多晶硅层后，在所述多晶硅层上方先涂覆一绝缘材料；接着才使用离子植入机在绝缘材料上方进行离子植入，从而形成沟道；这样便有效避免了在离子植入制程中将离子直接打在多晶硅层上，从而造成多晶硅层表面缺陷，影响TFT特性的问题。本发明有效改善了离子植入制程中对多晶硅层表面的损失。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

【附图说明】

图1为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的实现流程示意图；