[发明专利]具有接触插塞的半导体器件有效
| 申请号： | 201510603877.4 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN105448911B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 严大耳;李宣姃;崔正宪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;陈源 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底上的N型鳍和P型鳍；第一栅电极，其被构造为与N型鳍交叉，并覆盖N型鳍的侧表面；第二栅电极，其被构造为与P型鳍交叉，并覆盖P型鳍的侧表面；第一源极/漏极，其位于N型鳍上，邻近于第一栅电极；第二源极/漏极，其位于P型鳍上，邻近于第二栅电极；缓冲层，其位于第二源极/漏极的表面上，并包括不同于第二源极/漏极的材料；层间绝缘层，其位于缓冲层和第一源极/漏极上；第一插塞，其连接至第一源极/漏极，并且穿过层间绝缘层；以及第二插塞，其连接至第二源极/漏极，并且穿过层间绝缘层和缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 接触 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底上的N型鳍和P型鳍；第一栅电极，其被构造为与N型鳍交叉，并覆盖N型鳍的侧表面；第二栅电极，其被构造为与P型鳍交叉，并覆盖P型鳍的侧表面；第一源极/漏极，其位于N型鳍上，邻近于第一栅电极；第二源极/漏极，其位于P型鳍上，邻近于第二栅电极；缓冲层，其位于第二源极/漏极的表面上，该缓冲层包括不同于第二源极/漏极的材料；层间绝缘层，其位于缓冲层和第一源极/漏极上；第一插塞，其连接至第一源极/漏极，该第一插塞穿过层间绝缘层；以及第二插塞，其连接至第二源极/漏极，该第二插塞穿过层间绝缘层和缓冲层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510603877.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：CMOS器件及其形成方法
- 下一篇：减小芯片外电感占用空间的集成封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
