[发明专利]在SOI衬底上具有减小的暗电流的前侧成像器有效
| 申请号： | 201510601251.X | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105552092B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | D·迪塔特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在SOI衬底上具有减小的暗电流的前侧图像传感器，包括在半导体材料中的衬底(22‑1)；在半导体材料中的有源层(10)；形成在有源层中的光电二极管(14，18)的阵列；以及在衬底(22‑1)和有源层(10)之间的绝缘层(22‑2)。 | ||
| 搜索关键词： | soi 衬底 具有 减小 电流 成像 | ||
【主权项】：
1.一种前侧图像传感器，包括：衬底，在半导体材料中；有源层，在半导体材料中；光电二极管的阵列，形成在所述有源层中；以及绝缘层，在所述衬底和所述有源层之间，其中在工作中所述衬底被配置为偏置在低于所述有源层电压的电压处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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