[发明专利]在SOI衬底上具有减小的暗电流的前侧成像器

权利要求书

1.一种前侧图像传感器，包括：

衬底，在半导体材料中；

有源层，在半导体材料中；

光电二极管的阵列，形成在所述有源层中；以及

绝缘层，在所述衬底和所述有源层之间，

其中在工作中所述衬底被配置为偏置在低于所述有源层电压的电压处。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述绝缘层是具有被选择为在可见范围内反射光子的厚度的氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的传感器，进一步包括，在所述绝缘层和所述有源层之间的、与所述有源层具有相同导电类型的中间层，所述中间层具有比所述有源层更高的掺杂水平。

4.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述衬底和所述绝缘层是SOI衬底的整体部分。

5.根据权利要求1所述的传感器，包括：

钝化层，在所述有源层上；

彩色滤光器的阵列，在所述钝化层上；以及

准直透镜的阵列，在所述滤光器阵列上。

6.一种制造前侧图像传感器的方法，包括以下步骤：

在SOI衬底上形成有源层；

在所述有源层中形成光电二极管阵列；

在所述有源层上形成彩色滤光器和准直透镜的阵列；以及

在工作中将所述衬底偏置在低于所述有源层电压的电压处。

7.根据权利要求6所述的方法，包括步骤：

在所述SOI衬底和所述有源层之间的绝缘层上形成中间层，所述中间层具有与所述有源层相同的导电类型并且具有比所述有源层更高的掺杂水平。