[发明专利]一种漏电流的测试版图、检测结构及其检测方法有效
| 申请号: | 201510592962.5 | 申请日: | 2015-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN105097599B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
| 发明(设计)人: | 罗飞 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明提供一种漏电流的测试版图、检测结构及其检测方法,该测试版图模块包括在工艺流程前段形成的M个PN结二极管漏电流测试单元与位于金属层的经典漏电流测试单元相并联电路,该PN结二极管的P端接高电位,该PN结二极管的N端接低电位;该M个PN结二极管的结面积是不同的,且每一个并接的回路均由不同的开关控制,其中,M为大于等于1的正整数;该方法通过把前段工艺中形成的PN结二极管与经典金属漏电流测试结构并联进行漏电流测试,不仅可以缩小金属层漏电流测试所需的版图面积,还可以进一步提高漏电流量测的精度。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 漏电 测试 版图 检测 结构 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种金属层漏电流的检测结构,包括测试版图模块、测试模块和计算模块;其特征在于,所述测试版图模块包括在工艺流程前段形成的M个PN结二极管漏电流测试单元与位于金属层的经典漏电流测试单元相并联电路,所述PN结二极管的P端接高电位,所述PN结二极管的N端接低电位;所述M个PN结二极管的结面积是不同的,且每一个并接的回路均由不同的开关控制,其中,M为大于1的正整数;所述测试模块用于检测所述测试版图模块漏电流、各个所述PN结二极管漏电流和各个所述PN结二极管分别与所述PN结二极管并联后的漏电流;所述计算模块,用于根据所述测试版图模块漏电流、各个所述PN结二极管漏电流、各个所述PN结二极管分别与所述PN结二极管并联后的漏电流以及它们间的结果关系,通过计算得到所需的金属层漏电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





