[发明专利]一种漏电流的测试版图、检测结构及其检测方法

权利要求书

1.一种金属层漏电流的检测结构，包括测试版图模块、测试模块和计算模块；其特征在于，

所述测试版图模块包括在工艺流程前段形成的M个PN结二极管漏电流测试单元与位于金属层的经典漏电流测试单元相并联电路，所述PN结二极管的P端接高电位，所述PN结二极管的N端接低电位；所述M个PN结二极管的结面积是不同的，且每一个并接的回路均由不同的开关控制，其中，M为大于1的正整数；

所述测试模块用于检测所述测试版图模块漏电流、各个所述PN结二极管漏电流和各个所述PN结二极管分别与所述PN结二极管并联后的漏电流；

所述计算模块，用于根据所述测试版图模块漏电流、各个所述PN结二极管漏电流、各个所述PN结二极管分别与所述PN结二极管并联后的漏电流以及它们间的结果关系，通过计算得到所需的金属层漏电流。

2.根据权利要求1中所述金属层漏电流的检测结构，其特征在于，所述的M为2。

3.根据权利要求2中所述金属层漏电流的检测结构，其特征在于，两个所述PN结二极管设置在具有经典漏电流测试单元的所述金属层的下层结构中。

4.根据权利要求3中所述金属层漏电流的检测结构，其特征在于，所述两个不同结面积的PN结二极管的形成过程如下：

首先，将衬底进行离子注入以形成N型阱；然后，在所述N型阱中注入形成两个不同的P型阱和高浓度的P型接触点；接下来，在两个不同的P型阱间通过离子注入形成高浓度的N型接触点；最后，把所述高浓度N型接触点通过通孔与所述金属层中经典漏电流测试单元中的金属线进行连接，完成与PN结二极管的并联；其中，所述连接中高浓度P型接触点与所述金属层的高电位端相连，所述高浓度N型接触点与所述金属层低电位端相连。

5.一种金属层漏电流的测试版图模块，用于检测所需金属层的漏电流；其特征在于，

所述测试版图模块包括在工艺流程前段形成的M个PN结二极管漏电流测试单元与位于金属层的经典漏电流测试单元相并联，所述PN结二极管的P端接高电位，所述PN结二极管的N端接低电位；所述M个PN结二极管的结面积是不同的，且每一个并接的回路均由不同的开关控制，其中，M为大于1的正整数。

6.根据权利要求5中所述金属层漏电流的测试版图模块，其特征在于，所述的M为2。

7.根据权利要求6中所述金属层漏电流的测试版图模块，其特征在于，两个所述PN结二极管设置在具有经典漏电流测试单元的所述金属层的下层结构中。

8.根据权利要求7中所述金属层漏电流的测试版图模块，其特征在于，所述两个不同结面积的PN结二极管的形成过程如下：

首先，将衬底进行离子注入以形成N型阱；然后，在所述N型阱中注入形成两个不同的P型阱和高浓度的P型接触点；接下来，在两个不同的P型阱间通过离子注入形成高浓度的N型接触点；最后，把所述高浓度N型接触点通过通孔与所述金属层中经典漏电流测试单元中的金属线进行连接，完成与PN结二极管的并联；其中，所述连接中高浓度P型接触点与所述金属层的高电位端相连，所述高浓度N型接触点与所述金属层低电位端相连。

9.一种采用权利要求1所述的金属层漏电流检测结构的检测方法，其特征在于，M为大于等于2，包括如下步骤：

步骤S1：分别检测M个PN结二极管的单独漏电流；

步骤S2：分别检测M个PN结二极管与位于金属层的经典漏电流测试单元相并联的漏电流，然后，分别减去步骤S1中检测到的M个PN结二极管的单独漏电流，得到M个金属层第一漏电流值；

步骤S3：检测所述测试版图模块的漏电流；

步骤S4：将所述测试版图模块的漏电流减去步骤S1中检测到的M个PN结二极管的单独漏电流，得到金属层的第二漏电流值；

步骤S5：将所述M个金属层第一漏电流值和金属层的第二漏电流值求平均值，得到最终的金属层漏电流值。