[发明专利]一种晶圆的键合方法

摘要

本发明涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆的键合方法，具体步骤是提供第一晶圆、第二晶圆，第一晶圆和第二晶圆均包括硅基底和设置于硅基底之上的金属层；于第一晶圆和第二晶圆之上制备贴合层后，将第一晶圆键合至第二晶圆之上，以形成键合晶圆；对第一晶圆进行减薄工艺；切割键合晶圆边缘区域，导致边缘区域的金属层被暴露出来；于金属层暴露的表面上沉积一保护层。通过切割两片晶圆的边缘区域的贴合层，以形成平坦化的侧壁，同时也有利于晶圆内部的应力进行释放，避免在封装过程中，因晶圆内部的应力释放而造成晶圆边缘翘曲。使得键合后的晶圆表面处于完全平整的状态，提高键合的有效性，消除键合晶圆边缘及侧壁的裂缝，提高产品的成品率。

主权项

一种晶圆的键合方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S10、提供第一晶圆、第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆均包括硅基底和设置于所述硅基底之上的金属层；步骤S20、于所述第一晶圆和所述第二晶圆之上制备贴合层后，将所述第一晶圆键合至所述第二晶圆之上，以形成键合晶圆；步骤S30、对所述第一晶圆进行减薄工艺；步骤S40、切割所述键合晶圆边缘区域，导致边缘区域的金属层被暴露出来；步骤S50、于所述金属层暴露的表面上沉积一保护层；于所述步骤S30中，减薄所述第一晶圆，并于所述第一晶圆和所述第二晶圆的所述贴合层形成一内缩式切口倒角；于所述步骤S40中，所述边缘区域的水平距离大于或等于所述内缩式切换倒角的水平距离。